| Year 1999 |
由龚行宪博士于美国硅谷正式成立 Luxnet corporation，资本额美金800万元，为光电半导体公司，专注于发展LED，创办人龚行宪博士担任董事长。
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| Year 2000 |
以现有光电半导体技术投入开发光通讯组件。
增资美金1,800万元。
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| Year 2001 |
成立台湾子公司-华星光通科技有限公司，实收资本额新台币90, 000仟元。
建立晶粒(Chip)生产线，座落在台湾桃园县龙潭科技园区。
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| Year 2002 |
台湾子公司变更登记为股份有限公司---华星光通科技股份有限公司。
850nm VCSEL & 1310nm PD & FP Laser 开发完成。
取得ISO 9001认证。
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| Year 2003 |
为全力发展光通讯组件的生产与销售， 美国Luxnet将所有业务及股权移转回台湾华星光通科技股份有限公司，由张裕忠博士担任总经理。
增资新台币20,500仟元，实收资本额新台币110,500仟元。
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| Year 2004 |
新建光通讯次模块封装(ROSA)生产线。
增资新台币147,103仟元，实收资本额新台币257,603仟元。
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| Year 2005 |
建立封装(T046)生产线，第四季开始公司转亏为盈。
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| Year 2006 |
850nm SM VCSEL for optical mouse开发完成。
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| Year 2007 |
850nm &1310nm 10 G photo detector开发完成。
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| Year 2008 |
为扩充产能需求，另于中坜工业区租建新厂，原龙潭厂以生产晶粒为主，
中坜厂以生产封装及次模块组件为主。
转投资设立大陆子公司 苏州长瑞光电有限公司。
为充实营运资金，增资新台币47,070仟元，实收资本额新台币304,673仟元。
进入FTTH PON 市场 ; 850nm &1310nm 10G ROSA开发完成。
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| Year 2009 |
中坜厂新增封装(T056)生产线及次模块封装(BOSA)生产线。
增资新台币8,775仟元，实收资本额新台币313,448仟元。
2.5G 1310nm ; 1490nm ; 1550nm DFB Laser开发完成。
2.5G DFB GPON ONU+OLT开发完成。
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| Year 2010 |
增资新台币9,675仟元，实收资本额新台币323,123仟元。
6G FP TOSA&ROSA for LTE开发完成。
Dual wavelength 10G light peak detector开发完成。
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| Year 2011 |
8月证期会上柜核准；
2.5G 1310/1550nm APD检光器晶粒开发完成。
10G1310nm 波长雷射晶粒开发完成。
10G 850nm 波长光接收次模组开发完成。
10G 850nm 波长VCSEL光发射次模组开发完成。
SMF 1310nm FP OC48 SR模组、SMF 1310nm DFB OC48 IR模
组、SMF 1310nm DFB/APD OC48 LR模组、MMF 850nm 8FC
SFP+模组、MMF 850nm 10GBASE SR SFP+模组开发完成。
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| Year 2012 |
合江厂自建完成；营收达新台币21.5亿元，再创新高。
10G 1310nm DFB晶粒开发完成。
10G FP TOSA、10G/14G VCSEL TOSA、10G DFB TOSA开发完成。
40G SR4 Optical Engine开发完成。
10G LRL SFP+、10G LR SFP+、10G SR SFP+、40G SR4 QSFP+开发完成。
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| Year 2013 |
3月完成中壢及龍潭2廠合併至合江新厂，正式生产制造及办公。
获得勤业众信所举办之「高科技、高成长500强公司」表扬。
1310nm 边收光型的PIN晶粒开发完成。
25G 1310nm DFB晶粒开发完成。
QSFP+ 40G PSM4 mini TOSA/ROSA开发完成。
48G mini SAS HD开发完成。
QSFP+ 40G PSM4模组开发完成。
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| Year 2014 |
4月再度荣获「德勤亚太区高科技、高成长500强」之公司。
4月通过CG6008通用版公司治理制度评量认证。
1310nm 25G PIN晶粒开发完成。
40G PSM4 Mini TOSA开发完成。
40G PSM4 ROSA、40G 300m SR4 opitcal engine开发完成。
10G LR-Lite SFP+ Tranceiver、40G BASE PSM4 QSFP+开发完成。
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| Year 2015 |
公司营收达新台币41.81亿元，创历史新高。
公司荣获第一届「公司治理评鉴」上柜公司排名前 5%殊荣。
850nm 25G PIN晶粒开发完成。
CWDM CW-DFB晶粒开发完成。
10G EPON BOSA开发完成。
25G 1310nm DFB TOSA开发完成。
25G 1310nm PIN-TIA ROSA开发完成。
100G CWDM4 TOSA开发完成。
40G QSFP+ eSR4 COB模组开发完成。
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| Year 2016 |
公司再次荣获第二届「公司治理评鉴」上柜公司排名前 5%殊荣。
10G EPON 1270nm DFB晶粒开发完成。
1490nm OLT DFB晶粒开发完成。
1310nm 10G super TIA PIN PD晶粒开发完成。
100G silicon photonic module assembly technology开发完成。
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| Year 2017 |
公司荣获第三届「公司治理评鉴」上柜公司排名前 5%殊荣。
10G EPON 1577nm APD晶粒开发完成。
Gen2 Mini TOSA 40G PSM4/ROSA 40G PSM4开发完成。
Gen2 40G QSFP+PSM4模组开发完成。
取得ISO14001:2015认证。
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| Year 2018 |
公司荣获第四届「公司治理评鉴」上柜公司排名前 5%殊荣。
2月私募普通股19,500仟元，实收资本额新台币929,216仟元。
4月现金增资计划发行新股增资新台币100,000仟元，实收资本额新台币1,029,216仟元。
25G 1310/1550nm PIN array chip开发完成。
25G 850nm PIN array chip开发完成。
25G CWDM DFB chip开发完成。
取得ANSI/ESD S20.20-2014认证。
取得ISO45001:2018认证。
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| Year 2019 |
10G APD ROSA开发完成。
10G O-Band CWDM DFB LD开发完成。
10G 1550nm DFB LD开发完成。
40mW O-Band CWDM CW DFB LD开发完成。
25G 850nm 1x4 array开发完成。
25G 1310/1550nm APD开发完成。
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| Year 2020 |
1月现金增资计划发行新股增资147,000仟元，实收资本额总计为1,202,263仟元。
25G CWDM 6 波 TOCAN开发完成。
25G 1350/1370nm CWDM DFB LD开发完成。
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| Year 2021 |
5 月私募普通股130,000仟元，另注销限制员工权利新股1,060仟元，实收资本额总计为1,329,303仟元。
25G 1310nm PIN PD开发完成。
BOX type EML TOSA packaging technology开发完成。
400G silicon photonic module assembly technology开发完成。
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| Year 2022 |
40/53mW CWDM LD制程技术开发完成，应用于400G AI数据中心。
50G PIN PD开发完成。
TO33 TOCAN Packaging technology开发完成。
TO38 TOCAN Packaging technology开发完成。
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| Year 2023 |
12月现金增资计划发行新股增资85,000仟元，实收资本额总计为1,408,398仟元。
70mW CWDM LD制程技术开发完成，应用于800G AI数据中心。
CWDM TOSA for CPO External Laser Sources开发完成。
Active lens alignment assembly technology开发完成。
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| Year 2024 |
100mW CWDM LD制程技术开发完成，应用于1.6T AI数据中心。
800G silicon photonic module assembly technology开发完成。
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