华星光通
华星光通科技(股)于民国八十八年设立于美国加州费利蒙(Fremont)，由来自SDL、惠普(HP)及安捷伦(Agilent)等擅长于电子元件设计、製造(封装)专家创设，我们拥有完整产品组合，所提供光通讯元件应用于网际网路、资料传输及有线电视等。本公司具有先进Epi Layer设计及封装製程技能，在光传输模组领域，提供完整解决方案。
公司沿革
民国88年
由龚行宪博士于美国硅谷正式成立 Luxnet corporation，资本额美金800万元，为光电半导体公司，专注于发展LED，创办人龚行宪博士担任董事长。
民国89年
以现有光电半导体技术投入开发光通讯元件。
增资美金1,800万元。
民国90年
成立台湾子公司-华星光通科技有限公司，实收资本额新台币90, 000仟元。
建立晶粒(Chip)生产线，座落在台湾桃园县龙潭科技园区。
民国91年
台湾子公司变更登记为股份有限公司---华星光通科技股份有限公司。
850nm VCSEL & 1310nm PD & FP Laser 开发完成。
取得ISO 9001认证。
民国92年
为全力发展光通讯元件的生产与销售， 美国Luxnet将所有业务及股权移转回臺湾华星光通科技股份有限公司，由张裕忠博士担任总经理。
增资新台币20,500仟元，实收资本额新台币110,500仟元。
民国93年
新建光通讯次模组封装(ROSA)生产线。
增资新台币147,103仟元，实收资本额新台币257,603仟元。
民国94年
建立封装(T046)生产线，第四季开始公司转亏为盈。
民国95年
850nm SM VCSEL for optical mouse开发完成。
民国96年
850nm &1310nm 10 G photo detector开发完成。
民国97年
为扩充产能需求，另于中坜工业区租建新厂，原龙潭厂以生产晶粒为主， 中坜厂以生产封装及次模组元件为主。
转投资设立大陆子公司 苏州长瑞光电有限公司。
为充实营运资金，增资新台币47,070仟元，实收资本额新台币304,673仟元。
进入FTTH PON 市场 ; 850nm &1310nm 10G ROSA开发完成。
民国98年
中坜厂新增封装(T056)生产线及次模组封装(BOSA)生产线。
增资新台币8,775仟元，实收资本额新台币313,448仟元。
2.5G 1310nm ; 1490nm ; 1550nm DFB Laser开发完成。
2.5G DFB GPON ONU+OLT开发完成。
民国99年
增资新台币9,675仟元，实收资本额新台币323,123仟元。
6G FP TOSA&ROSA for LTE开发完成。
Dual wavelength 10G light peak detector开发完成。
民国100年
8月证期会上柜核准；
2.5G 1310/1550nm APD检光器晶粒开发完成。
10G1310nm 波长雷射晶粒开发完成。
10G 850nm 波长光接收次模组开发完成。
10G 850nm 波长VCSEL光发射次模组开发完成。
SMF 1310nm FP OC48 SR模组、SMF 1310nm DFB OC48 IR模组、SMF
1310nm DFB/APD OC48 LR模组、MMF 850nm 8FC SFP+模组、MMF 850nm
10GBASE SR SFP+模组开发完成。
民国101年
合江厂自建完成；营收达新台币21.5亿元，再创新高。
10G 1310nm DFB晶粒开发完成。
10G FP TOSA、10G/14G VCSEL TOSA、10G DFB TOSA开发完成。
40G SR4 Optical Engine开发完成。
10G LRL SFP+、10G LR SFP+、10G SR SFP+、40G SR4 QSFP+开发完成。
民国102年
3月完成中坜及龙潭2厂合併至合江新厂，正式生产製造及办公。
获得勤业众信所举办之「德勤亚太区高科技、高成长500强」之公司表扬。
1310nm 边收光型的PIN晶粒开发完成。
25G 1310nm DFB晶粒开发完成。
QSFP+ 40G PSM4 mini TOSA/ROSA开发完成。
48G mini SAS HD开发完成。
QSFP+ 40G PSM4模组开发完成。
民国103年
4月再度荣获「德勤亚太区高科技、高成长500强」之公司。
4月通过CG6008通用版公司治理制度评量认证。
1310nm 25G PIN晶粒开发完成。
40G PSM4 Mini TOSA开发完成。
40G PSM4 ROSA、40G 300m SR4 opitcal engine开发完成。
10G LR-Lite SFP+ Tranceiver、40G BASE PSM4 QSFP+开发完成。
民国104年
公司营收达新台币41.81亿元，创历史新高。
公司荣获第一届「公司治理评鑑」上柜公司排名前 5%殊荣。
850nm 25G PIN晶粒开发完成。
CWDM CW-DFB晶粒开发完成。
10G EPON BOSA开发完成。
25G 1310nm DFB TOSA开发完成。
25G 1310nm PIN-TIA ROSA开发完成。
100G CWDM4 TOSA开发完成。
40G QSFP+ eSR4 COB模组开发完成。
民国105年
公司再次荣获第二届「公司治理评鑑」上柜公司排名前 5%殊荣。
10G EPON 1270nm DFB晶粒开发完成。
1490nm OLT DFB晶粒开发完成。
1310nm 10G super TIA PIN PD晶粒开发完成。
100G silicon photonic module assembly technology开发完成。
民国106年
公司荣获第三届「公司治理评鑑」上柜公司排名前 5%殊荣。
10G EPON 1577nm APD晶粒开发完成。
Gen2 Mini TOSA 40G PSM4/ROSA 40G PSM4开发完成。
Gen2 40G QSFP+PSM4模组开发完成。
取得ISO14001:2015认证。
民国107年
公司荣获第四届「公司治理评鑑」上柜公司排名前 5%殊荣。
2月私募普通股19,500仟元，实收资本额新台币929,216仟元。
4月现金增资计画发行新股增资新台币100,000仟元，实收资本额新台币1,029,216仟元。
25G 1310/1550nm PIN array chip开发完成。
25G 850nm PIN array chip开发完成。
25G CWDM DFB chip开发完成。
取得ANSI/ESD S20.20-2014认证。
取得ISO45001:2018认证。
民国108年
10G APD ROSA开发完成。
10G O-Band CWDM DFB LD开发完成。
10G 1550nm DFB LD开发完成。
40mW O-Band CWDM CW DFB LD开发完成。
25G 850nm 1x4 array开发完成。
25G 1310/1550nm APD开发完成。
民国109年
1月现金增资计画发行新股增资147,000仟元，实收资本额总计为1,202,263仟元。
25G CWDM 6 波 TOCAN开发完成。
25G 1350/1370nm CWDM DFB LD开发完成。
民国110年
5 月私募普通股130,000仟元，另註销限制员工权利新股1,060仟元，实收资本额总计为1,329,303仟元。
25G 1310nm PIN PD开发完成。
BOX type EML TOSA packaging technology开发完成。
400G silicon photonic module assembly technology开发完成。
民国111年
40/53mW CWDM LD製程技术开发完成，应用于400G AI资料中心。
50G PIN PD开发完成。
TO33 TOCAN Packaging technology开发完成。
TO38 TOCAN Packaging technology开发完成。
民国112年
12月现金增资计画发行新股增资85,000仟元，实收资本额总计为1,408,398仟元。
70mW CWDM LD製程技术开发完成，应用于800G AI资料中心。
CWDM TOSA for CPO External Laser Sources开发完成。
Active lens alignment assembly technology开发完成。
民国113年
100mW CWDM LD製程技术开发完成，应用于1.6T AI资料中心。
800G silicon photonic module assembly technology开发完成。
